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El nuevo Samsung Galaxy S9 podría equipar hasta 512GB de almacenamiento interno

El próximo smartphone Samsung Galaxy S9 podría equipar hasta 512GB de almacenamiento interno, ya que el nuevo teléfono tope de gama de la compañía podría equipar los nuevos chips uFS de 512GB presentados recientemente para los smartphone de nueva generación. Estos nuevos chips de Samsung, incorporan en un mismo encapsulado ocho die de 64 capas V-NAND de la ultima generación y una controladora.…

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#512GB de almacenamiento #64 capas #Samsung Galaxy S9 #uFS 512GB #V-NAND

Intel 545s, el nuevo SATA SSD de la compañía con memoria 3D NAND de 64 capas

Intel ha lanzado hoy su nueva serie SATA SSD. Se trata de la nueva serie 545, cuya principal novedad frente a la serie anterior 540s es que vienen acompañados de la nueva memoria 3D NAND de 64 capas (apiladas), concretamente con los nuevos modelos de Intel. Como controladora Intel se ha decidido por la Silicon Motion SM2259, que aunque es una gran controladora de gama alta, debido al gran…

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