FET Trioderizerの特性曲線を測り直す
実験アンプまで作って、一通り悦に入ってから言うのも何だけど、デジタルオシロスコープ用のPCソフトがどうも挙動不審。XY表示時のX軸方向がスコープの画面と微妙に違うんだよなー。 やれやれ。それくらい先に気づけよ!という話なんだけど。笑) PCのソフトが怪しいので、今度は別のソフトを使って、オシロスコープの画面を直接キャプチャすることにした。 まずは2SK30ATM。こうしてみると、三極管的と言うよりはウルトラリニア的と言うべきか。
ついでに、2SK170。
さらに、2SK246。
MOSFETも。まずは、2SK2847。
ついでに、2SK1058。
以上、あくまでもご参考までに、ということで。 (ここまで、2010.09.20) 後日、MOSFET-TrioderizerのコンプリPPを試したときにハッキリしたのだけど、上記の特性曲線の実測データはあまり過信できない。実際にアンプとして組んで見ると、多かれ少なかれ、実測データとは異なる挙動を示すから。したがって、非常に大雑把なデータとして注意深く扱うしかない。その原因を追究すべきなんだろうけど、仕事の合間を縫って実験してるから、今はとにかく時間がないんよ。。。 とはいえ、MOSFET-Trioderizerのバイアス電圧の誤差については、測定し直した特性曲線のおかげで説明がつきそうだ。
上のグラフには5KΩ負荷のロードラインを引いてある。実験アンプの回路図の一部と併せて見ていただきたい。20mAの定電流源によって、2SK2847のドレイン-ソース間に132.3-19.0=113.3Vの電圧がかかるとき、ソース-アース間の電圧は19.0V。1MΩの帰還抵抗と100KΩのゲート抵抗にかかる電圧は、真空管で言えばグリッドリーク抵抗に相当する100KΩ(Rg)によってさらに分圧されるので、回路図中のA-B間には10.9Vの電圧が発生することになる。19.0V-10.9V=8.1Vだから、(MOSFET+帰還抵抗+ゲート抵抗)=仮想真空管と見なした場合、そのグリッドには-8.1Vのバイアス電圧がかかっていることになる。 さて、あらためて測定し直した特性曲線を見てみよう。実験アンプの条件を当てはめると、想定されるバイアス電圧は-8.5V程度。素子のバラツキを考慮すれば、ほぼほぼ実測データ通りの動作をしていると言える。まったく使えないデータというわけでもないようだ。
そう思って、2SK1058-Trioderizerにゼロバイアスで24Vの電圧を掛けてみたら、一気に1A近く流れて、電源トランスがあっぷあっぷし始めてしまった。2SK1058の実測特性曲線では100mA~150mAあたりで落ち着きそうに見えるけど、そうは問屋が卸しませんというわけだ。それ以前に「馬鹿なことすんな!」と叱られそうだけど。
※この記事は2010年頃に書かれたもの。いろいろ思うところはあるけど、そのまま再掲。面倒だしw










