Apr 5, 2016
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Samsung fertigt SDRAM-Chips mit Strukturbreiten unter 20 Nanometern
Die Speicherbausteine der 10-Nanometer-Klasse belegen weniger Siliziumfläche als ihre 20-nm-Vorgänger, arbeiten sparsamer und sollen auf (LR-)DIMMs mit bis zu 128 GByte sitzen.
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